Si基SiC薄膜和低維SiO-,2-的生長及其光致發(fā)光機理研究.pdf

1、SiC半導體材料是自第一代半導體材料(Si、Ge)和第二代半導體材料(GaAs、InP、GaP、InAs和AlAs等)之后發(fā)展起來的第三代寬帶隙半導體。由于制備SiC體單晶非常困難而且價格昂貴，因此SiC薄膜的異質外延生長是重要的。目前，人們研究較多的是在Si襯底上異質外延生長SiC薄膜。但由于Si和SiC的晶格常數(shù)及熱膨脹系數(shù)的不匹配，在SiC/Si界面處易形成空洞缺陷。這些空洞缺陷使薄膜的電學及光學性質變差，嚴重影響SiC/Si器件

2、性能及其集成的發(fā)展。所以，有必要尋求生長無界面空洞缺陷的SiC/Si薄膜的工藝和方法。此外，SiC的自然氧化物和Si一樣都是SiO<,2>。SiO<,2>不僅被應用于光學器件，還被廣泛的應用于Si基、SiC基的微電子器件。因此，它的光學活性缺陷對于這些器件是十分重要的。 本論文的內容可分為兩大部分：一是探索了無界面空洞缺陷的SiC/Si薄膜的生長，并研究了其界面微結構與物性等；二是研究了低維SiO<,2>材料的生長及其光致發(fā)光的

3、機理。主要內容有： ·PS/Si疊層熱解反應法生長SiC薄膜的制備、結構和物性：我們在1 atm的Ar氣氛下用PS/Si疊層熱解反應法生長了SiC薄膜，優(yōu)化了工藝條件，給出了SiC薄膜的生長過程。在1250℃時，優(yōu)化生長條件，獲得了2.51 A密排面取向的晶態(tài)SiC薄膜。薄膜表面平整，無明顯的界面空洞缺陷。我們用空位聚集理論解釋了空洞缺陷形成的機理，以及抑制空洞缺陷的原因。利用Mie的散射理論能很好的解釋SiC薄膜樣品的TO～L

4、O之間寬的紅外吸收，這與其他研究者給出解釋不同。結合薄膜的生長過程，這樣的紅外吸收說明少量的C擴散進入了Si襯底的深處并形成了分散的SiC小顆粒。我們用紅外光譜的方法研究了SiC薄膜的生長動力學問題，得出在1250℃以下的溫度薄膜生長是2D模式，高于1250℃溫度時薄膜生長是3D模式，在1270℃以上，SiC的揮發(fā)明顯，并計算了不同溫度下生長的SiC薄膜的厚度。對處理后樣品的XPS分析得出在薄膜表面上的SiO<,2>層是在SiC生長末期

5、的降溫過程中形成的，樣品實際結構為SiO<,2>/SiC/Si。此外，我們還表征了薄膜的電學性質，優(yōu)化生長的SiC薄膜呈現(xiàn)出了較好的Ⅰ-Ⅴ特性。對SiC薄膜樣品的光致發(fā)光進行了詳細討論，首次發(fā)現(xiàn)了SiO<,2>/SiC的界面的NITs的發(fā)光。NITs是在SiO<,2>/SiC界面處存在的一個重要的勢阱缺陷，它嚴重的影響了SiC基MOS結構器件的電學性質。目前NITs的構型還是未知的，而關于NITs的信息還多來源于電學測量，這是首次用光學

6、方法探測出NITs缺陷，因此我們的這一發(fā)現(xiàn)對光學探測NITs、研究NITs和制作SiC基MOS器件有非常重要的意義。 ·用PS/OCS/Si疊層熱解反應法制備SiC薄膜。在真空(10-<'3>Pa)條件下最佳生長溫度是1050℃，獲得單晶的6H-SiC；在5×10<'4>Pa的Ar氣氛下最佳生長溫度是1300℃，主要獲得單晶的4H-SiC薄膜。探討了不同條件下生長的SiC薄膜晶型不同的原因。SEM表面和界面分析表明，兩種條件下都

7、可以生長無空洞缺陷的SiC薄膜，這是由于致密的SiO<,2>層阻止了Si原子的外擴散，同時本身又參加反應提供Si形成SiC。 ·我們制備了非晶SiO<,2>線并研究了它的生長機制和強藍光發(fā)射的發(fā)光機制。在非晶Si02線中觀察到了一個峰值約為2.84 eV的寬藍色發(fā)光峰，并伴有3.0 eV的肩峰。這個寬發(fā)光峰從2.84到3.0 eV的區(qū)間發(fā)光強度變化不大。大多數(shù)文獻認為這個發(fā)光是來自SiO<,2>體系中熟知的ODC(Ⅱ)。但是這樣

8、的結論缺乏發(fā)光峰的本征性質的支持。針對這個問題，我們研究了這個藍光發(fā)射的衰減、激發(fā)峰、發(fā)光峰形等本征性質，結果表明這個發(fā)光峰不是來源于SiO<,2>體系中的ODC (Ⅱ)，也沒發(fā)現(xiàn)有已知的Si02點缺陷的發(fā)光能匹配它。對這個藍光發(fā)射的發(fā)光性質進行了更深入的分析后，我們認為這個寬藍色發(fā)光峰是由相關聯(lián)的2.8 eV和3.0 eV發(fā)光峰因為"非晶寬化效應"加寬后重疊形成的；260 nm激發(fā)下的衰減譜符合雙曲線衰減規(guī)律，說明這個發(fā)光可能與SiO