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文檔簡介
1、在P.Duvall和J.Keesling的文章[3]中,對自相似的tile給出了一個計算其邊界Hausdorff維數(shù)的方法,既dim<,H>(?T)=logλ/logc其中1/c為壓縮因子,λ為接觸矩陣C的最大特征值。但這種方法僅限于吸引子T=T(A,D)是自相似tile,而不能應用到矩陣A為自仿矩陣時的情況,為了能夠計算自仿tile邊界的維數(shù),我們引進了[2]中偽度量的概念,應用偽度量的兩個性質(zhì): 1)對任意x∈R<'d>,?
2、(Ax)=q<'1/d>?(x),q=|det A|∈R; 2)存在常數(shù)η/>0,對任意x,y ∈R<'d>,有?(x+y)≤η max{?(x),?(y)}.給出了與[3]中結(jié)論類似的公式,使之可以計算出自仿 tile T 的偽 Hausdorff 維數(shù)dim<,ω>(?T)。dim<,ω>(?T)與Hausdorff維數(shù)相關(guān),既存在常數(shù)r>0,使得1/r dim<,H>(?T)≤dim<,ω>(?T)≤r dim<,H>(?
3、T)定理0.1 A為一個自仿矩陣,|det A|=q>1∈R,如果吸引子T=T(A,D)滿足VEC,則存在常數(shù)a>0,使得: ω(?T,?T<,n>)≤aq<'-n/d>其中ω為偽Hausdorff度量,它與偽度量?(x)相關(guān);T<,n>與VEC的概念將在第二節(jié)中介紹。 定理0.2 T=T(A,D)是一個自仿tile,|det A|=q>1∈R(q>1),接觸矩陣C有最大特征值λ.如果T=T(A,D)滿足VEC,我們有:
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