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文檔簡介
1、目前我國的汞消費量不斷增大且造成了嚴重的環(huán)境污染,威脅著人類的健康。本文從長期受汞污染的土壤篩選馴化高效抗汞菌株,并利用細胞形態(tài)分析、API20E和16SrDNA方法對菌株進行鑒定,研究抗汞菌株的汞去除效果及適應參數(shù)進行優(yōu)化,同時利用質粒消除和質粒提取技術對該菌株的抗汞基因進行定位,取得了較好的研究結果。本論文的研究為治理汞污染的生物技術打下了良好基礎,具有重要的理論與實踐意義。
1.經(jīng)過馴化篩選,獲得抗汞細菌2株,選擇其
2、中去汞能力強的菌株進行系統(tǒng)研究,并命名為PⅡ,該菌株可耐受最大Hg2+濃度為50mg·kg-1。
2.經(jīng)細胞形態(tài)分析,可知PⅡ菌株為為革蘭氏陰性反應短桿菌,菌落為圓形,邊緣整齊,表面凸起,呈現(xiàn)淺黃色,半透明;API20E和16SrDNA方法對其進行鑒定,結果表明該抗汞菌株PⅡ,最終鑒定為惡臭假單胞菌(Pseudomonasputida)。
3.對菌株PⅡ汞去除能力進行測試,結果表明抗汞菌株PⅡ對Hg2+的最大
3、適宜耐受濃度為30mg·kg-1;當Hg2+初始濃度為15mg·L-1時,培養(yǎng)24h后該菌株達到最高去汞率85.2%。
4.環(huán)境條件(溫度、pH)對菌株PⅡ生長及去汞率的影響較大;抗汞菌株去除Hg2+的最適宜條件為:溫度30℃、pH值7.0。
5.對抗汞菌株進行質粒提取,其質粒片段較大,在4kb-5kb左右;通過對PⅡ菌進行質粒消除實驗,結果發(fā)現(xiàn)質粒去除的菌株汞去除能力也隨之消失,即質粒的存在與菌株對汞的抗性
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