已閱讀1頁(yè),還剩76頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、MOCVD生長(zhǎng)Ⅲ族氮化物的熱擴(kuò)散和氣相反應(yīng)速SimulationstudyonthermaldiffusionandgasreactionrateofHInitrideMOCVDgrowth專業(yè)名稱:工程熱物理指導(dǎo)老師:左然研究生:汪文鵠江蘇大學(xué)2015年6月學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)江蘇大學(xué)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)信息研究所、國(guó)家圖書(shū)館、中國(guó)學(xué)術(shù)期刊(光盤版)電子雜志社有權(quán)保留本人所送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子文檔,可以采用影印、縮印或其他復(fù)制手段保
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- MOCVD生長(zhǎng)Ⅲ-Ⅴ族氮化物的化學(xué)反應(yīng)——輸運(yùn)過(guò)程數(shù)值模擬研究.pdf
- Ⅲ族氮化物量子點(diǎn)的MOCVD外延生長(zhǎng)研究.pdf
- 氮化鎵MOCVD生長(zhǎng)中氣相反應(yīng)路徑的數(shù)值模擬研究.pdf
- Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)及其特性.pdf
- 氮化鎵MOCVD氣相反應(yīng)動(dòng)力學(xué)分析及數(shù)值模擬研究.pdf
- Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體外延層薄膜的生長(zhǎng)與表征研究.pdf
- MOCVD生長(zhǎng)氮化鎵的KMC微觀模擬.pdf
- III族氮化物半導(dǎo)體外延層薄膜的生長(zhǎng)與表征研究.pdf
- 寬禁帶Ⅲ族氮化物極化特性的研究.pdf
- ⅲ族氮化物材料弱極性晶面量子阱的生長(zhǎng)及其光電特性的研究
- Ⅲ族氮化物量子點(diǎn)體系激子特性的研究.pdf
- Ⅲ族氮化物材料弱極性晶面量子阱的生長(zhǎng)及其光電特性的研究.pdf
- 氮化物涂層的沖蝕磨損模擬研究.pdf
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物納米孔材料的制備和應(yīng)用.pdf
- Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體薄膜場(chǎng)發(fā)射性能研究.pdf
- Ⅲ族氮化物微納米材料的制備和表征.pdf
- Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體中極化場(chǎng)的調(diào)控.pdf
- GaN基Ⅲ族氮化物外延生長(zhǎng)及相關(guān)器件的研究.pdf
- Ⅲ族氮化物紫光和近紫外LED的制備與研究.pdf
- Ⅲ族氮化物GaN和AlN光電特性的理論研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論