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文檔簡介
1、在半導體納米結構和薄膜表面的理論研究中，贗氫經(jīng)常被用來鈍化表面的懸掛鍵.眾所周知，由于量子限制效應，半導體納米結構有著比體材料更大的帶隙.本文基于密度泛函理論，研究了氫鈍化對氮化物量子點電子結構的影響，并詳細比較了真氫鈍化和贗氫鈍化的區(qū)別.
我們構建了氫鈍化的AlN，GaN，InN閃鋅礦和纖鋅礦兩種結構的量子點模型，基于密度泛函理論的廣義梯度近似方法，計算了體材料、裸量子點、真氫及贗氫鈍化量子點的帶隙.經(jīng)過比較和分析所得結果發(fā)
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