Ⅲ族氮化物量子點體系激子特性的研究.pdf

1、本文利用有效質量方法和變分原理，考慮內建電場和量子點的三維約束效應，研究了約束在GaN/AlxGa1-xN量子點中的激子態(tài)。詳細討論了激子態(tài)和量子點的結構參數(shù)以及勢壘層中的Al含量之間的關系。結果表明：由自發(fā)極化和壓電極化引起的內建電場導致量子點的有效帶隙減小，電子、空穴產生明顯分離，這對量子點的光學特性有重要影響；隨Al含量的增加，GaN/AlxGa1-N異質界面處的導帶不連續(xù)性增強，勢壘變高，載流子受到的約束增強，激子結合能增加，電

2、子-空穴的復合率先增大后減小，存在最大值；對給定體積的量子點，隨高度的變化激子結合能存在最大值，相應的電子、空穴被最有效約束，激子態(tài)最穩(wěn)定。為了獲得有效的電子、空穴復合過程，量子點的高度應該小于5.5nm。　　研究了InxGa1-xN/GaN量子點系統(tǒng)。由于極化效應而在InxGa1-xN量子點內產生的內建電場將使InGaN材料的能帶發(fā)生彎曲、有效帶隙減小。同時，電場使電子、空穴向相反的方向移動，使得電子和空穴的波函數(shù)在Z方向產生顯著分

3、離，電子被局域在量子點的頂部，而空穴被局域在量子點的底部。這些都將對量子點的光學性質產生重要影響。數(shù)值計算發(fā)現(xiàn)：對給定體積的InxGa1-xN/GaN量子點，激子結合能存在一最大值，此時電子、空穴被最有效的約束在量子點內。對不同體積的量子點，最大值的位置在量子點高度L=1.7nm附近取得。這一結果對量子點光電子器件的設計有一定的指導意義；由于自發(fā)極化和壓電極化而引起的內建電場使電子、空穴產生明顯的空間分離，激子結合能減小。在應用InxG