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文檔簡介
1、第三代寬禁帶半導體材料——GaN，由于具有較寬的禁帶寬度(3.4eV)、較高的擊穿電場(3*106V/cm)和較高的電子飽和速率(2*107cm/s)，使得AIGaN/GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)在微波波段的大功率、高頻率、低噪聲性能方面超過GaAs基HEMT和InP基HEMT。正是由于這些優(yōu)越的性能，將使AIGaN/GaN HEMT成為MMIC(單片微波集成電路)中PA(功率放大器)和LNA(低噪聲放大器)發(fā)展方向。
2、 本文在小信號S參數(shù)不適于微波功率放大器的設計而大信號S參數(shù)不易獲得的情況下，采用負載牽引法和輸入端共軛匹配，成功的設計出AIGaN/GaN HEMT微波功率放大器。 巴倫(Balun)是推挽聯(lián)結構功率放大器的關鍵部件，傳統(tǒng)的Marchand巴倫忽略了輸出端口的匹配和隔離問題。本文通過理論分析，解決了輸出端口問題，成功設計出寬帶寬、輸入輸出端口匹配、輸出端口隔離度高的微帶Marchand巴倫，并利用此巴倫設計了GaN基HEMT推
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