AlGaN-GaN HEMT E類功率放大器設計.pdf

1、無線通訊技術的迅猛發(fā)展對功率放大器功率、頻率、高溫特性提出了更高的要求，第三代(寬禁帶)半導體材料 GaN以其優(yōu)異的電學特性使得 AlGaN/GaN HEMT功率放大器成為研究熱點。本論文主要建立了AlGaN/GaN HEMT等效電路模型并基于模型設計GaN功率放大器。
　　本文首先對參數(shù)提取方法進行研究，針對傳統(tǒng)模擬退火算法在優(yōu)化速度上的不足，對模擬退火算法在擾動機制、退火方式、記憶功能和回火機制等方面進行改進，提出了一種改進模

2、擬退火算法，Matlab計算結果表明該算法較改進前速度提高約20％。
　　接著從AlGaN/GaN HEMT基本原理出發(fā)，通過在等效電路拓撲結構上增加RC子電路以描述電流崩塌，并在大信號模型上增添擬合參數(shù)的溫度特性以描述自加熱效應，改進了AlGaN/GaN HEMT等效電路模型。I-V仿真曲線與測試結果相比誤差在5%以內，電流崩塌仿真結果與測試結果相比誤差小于15%。
　　基于建立的AlGaN/GaN HEMT等效電路模型設