GaAs基MMIC功率放大器的研制.pdf

1、微電子技術(shù)的發(fā)展水平和規(guī)模是衡量一個(gè)國家技術(shù)實(shí)力的重要標(biāo)志。隨著世界科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)一直的不斷發(fā)展，有著高頻特性、功率特性和低噪聲特性等優(yōu)點(diǎn)的微波單片集成電路（MMIC）因而得到廣泛應(yīng)用。微波單片集成電路是微波和毫米波通信、測繪等系統(tǒng)的核心元件。微波功率放大器在衛(wèi)星通信、雷達(dá)、電子對抗等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，MMIC微波功放的設(shè)計(jì)技術(shù)屬于電子對抗的前沿技術(shù)之一。
　　在現(xiàn)代無線通訊系統(tǒng)中，功率放大器起著非常重要的作用。新一

2、代商用和軍用通信系統(tǒng)都需要功率放大器。新興的商業(yè)無線應(yīng)用顯著的提升了對功率放大器的研發(fā)。功率放大器在雷達(dá)和通信系統(tǒng)中是最重要的組成部分之一，砷化銦鎵、砷化鎵晶體管（pHEMT）具有高功率密度、高增益，這對于要求高效率，高功率，寬帶操作，以及小尺寸如活性相雷達(dá)，未來的蜂窩，本地多點(diǎn)分配業(yè)務(wù)應(yīng)用的優(yōu)勢（LMDS）和衛(wèi)星通信來說是非常理想的應(yīng)用材料。單片微波集成電路（MMIC），用于功率放大器與多級結(jié)構(gòu)的放大器制造可以進(jìn)一步減小芯片尺寸，并增

3、加了小信號增益，以減少制造成本。
　　本論文題目是“GaAs基MMIC功率放大器的研制”，主要設(shè)計(jì)的是9.5-13.3GHz GaAs基MMIC功率放大器芯片。具體研究內(nèi)容摘要如下：
　　1.簡單介紹了MMIC的發(fā)展背景、國內(nèi)與國外的研究發(fā)展，功率放大器的性能參數(shù)與技術(shù)指標(biāo)。
　　2.通過對砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管器件的工作原理的分析，同時(shí)介紹了其簡單的工藝流程，并對其小信號狀態(tài)下的等效電路模型中的各項(xiàng)參數(shù)的提取辦