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文檔簡(jiǎn)介
1、本文對(duì)微波單片集成電路（MMIC）進(jìn)了簡(jiǎn)要介紹。主要內(nèi)容包括MMIC技術(shù)歷史及發(fā)展現(xiàn)狀，砷化鎵材料的物理特性，高電子遷移率晶體管的基本物理結(jié)構(gòu)及工作原理，微波器件的建模及模型參數(shù)提取，MMIC工藝流程，微波晶體管功率放大器主要技術(shù)指標(biāo)簡(jiǎn)介等。
在此基礎(chǔ)之上，作者設(shè)計(jì)、流片、測(cè)試了一款工作頻率為8.5~12.5GHz的GaAs單片功率放大器。該功放在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所的GaAs功率pHEMT工藝線上進(jìn)行流片，采用3
2、級(jí)共源級(jí)聯(lián)放大的電路拓?fù)?；?8V漏極電壓和-0.7V柵極電壓的直流偏置條件下，該單片可提供大于30dBm的P-1輸出功率，25dB的增益，大于28.3％的功率附加效率，輸入輸出駐波均小于1.9。
本功放以晶體管大信號(hào)模型的負(fù)載牽引仿真為設(shè)計(jì)切入點(diǎn)，結(jié)合功率放大器對(duì)增益、輸出功率、效率、線性度等指標(biāo)的要求，根據(jù)負(fù)載牽引結(jié)果進(jìn)行晶體管尺寸選擇、偏置點(diǎn)選擇及電路拓?fù)湓O(shè)計(jì)。為了實(shí)現(xiàn)較高的線性度，采用雙音負(fù)載牽引仿真的方法尋找功放輸出
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