GaN基高效率功率放大器的研究與設(shè)計(jì).pdf

1、代號(hào)分類(lèi)學(xué)號(hào)密級(jí)1070110701TN4TN4公開(kāi)公開(kāi)1105122190題（中、英文）（中、英文）目GaN基高效率功率放大器的研究與設(shè)計(jì)基高效率功率放大器的研究與設(shè)計(jì)ResearchDesignofGaNbasedHighEfficiencyPowerAmplifier作者姓名王兵指導(dǎo)教師姓名指導(dǎo)教師姓名、職務(wù)職務(wù)馬曉華教授學(xué)科門(mén)類(lèi)工學(xué)學(xué)科、專(zhuān)業(yè)學(xué)科、專(zhuān)業(yè)材料學(xué)摘要I摘要在收發(fā)機(jī)系統(tǒng)中，射頻功率放大器時(shí)無(wú)線收發(fā)機(jī)中的核心模塊之一，功

2、率放大器已經(jīng)廣泛的應(yīng)用在各種民用和軍用的移動(dòng)通信的基站當(dāng)中。射頻功率放大器是系統(tǒng)中能耗最高的一個(gè)模塊，為了降低系統(tǒng)功耗，延長(zhǎng)電池的使用壽命，我們必須提高功率放大器的工作效率，這樣才能保證系統(tǒng)的節(jié)能與穩(wěn)定。因此對(duì)效率的研究工作變得尤為重要。但是隨著科技發(fā)展第一代和第二代半導(dǎo)體材料由于本身特性的限制已經(jīng)不能滿(mǎn)足技術(shù)的需求，導(dǎo)致了第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料GaN的出現(xiàn)。以GaN材料為代表的第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料相對(duì)Si和GaAs材料在擊穿電壓、功

3、率密度、電子飽和漂移速度等方面具有更高的優(yōu)勢(shì)。這使得GaN材料在制備高頻器件、大功率器件與高效率器件的方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，因此國(guó)內(nèi)外對(duì)GaNHEMT器件的研究越發(fā)的重視和活躍。本文選擇Cree公司的GaNHEMT模型利用ADS仿真軟件設(shè)計(jì)了F類(lèi)高效率功率放大器和Doherty高效率功率放大器。在本論文中我們使用Cree公司的GaNHEMT器件模型通過(guò)ADS仿真軟件設(shè)計(jì)了一款工作在2.5GHz的F類(lèi)功率放大器。其仿真效率達(dá)到了82.122