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文檔簡介
1、隨著無線通信技術(shù)的高速發(fā)展,人們對于無線通信產(chǎn)品的需求也更加廣泛。作為整個系統(tǒng)的核心,高性能高速度低功耗的通信芯片的技術(shù)突破也越來越受到重視。因此對于射頻電路的研究具有重大的意義。低噪聲放大器是射頻接收機的一個重要模塊,其位于整個系統(tǒng)的最前端。其功能主要是對天線所接收到的射頻微弱信號進行第一級的放大,濾波。輸出后端電路所需要的高頻信號。由于處于第一級,其噪聲系數(shù),增益,線性度對整個芯片的功能具有至關(guān)重要的影響。
本文對TS
2、MC0.18μm RF CMOS工藝的器件進行了分析,并對低噪聲放大器的參數(shù)指標(biāo)進行了分析和研究。同時進一步對低噪聲放大器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進行了深入探討,選取源極電感負(fù)反饋結(jié)構(gòu)作為本次設(shè)計的低噪聲放大器的基本結(jié)構(gòu)。最后給出了一種基于CMOS工藝的低噪聲放大器的實現(xiàn)電路。利用Cadence公司的Spectre RF軟件對電路進行了仿真。仿真結(jié)果表明,文中給出的利用源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器電路能夠達(dá)到所要求的目標(biāo)。其中增益達(dá)到了20dB,噪聲
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