已閱讀1頁，還剩76頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、低噪聲放大器(LNA)是無線接收機(jī)前端的關(guān)鍵電路之一。由于是整個(gè)電路系統(tǒng)的第一級(jí)，其增益、噪聲、線性度等直接影響整個(gè)電路系統(tǒng)的性能。本文運(yùn)用仿真工具ADS，通過對CMOS共源共柵低噪聲放大器的共源極柵寬，源極電感以及柵極電感值的掃描仿真，以smith阻抗圓圖的形式給出了一個(gè)直觀的LNA設(shè)計(jì)優(yōu)化流程，該方法近似實(shí)現(xiàn)了最佳噪聲源阻抗和輸入阻抗的同時(shí)匹配。 由于UWB(Ultra-Wide-Band)傳輸速率高，發(fā)射信號(hào)功率小，功率譜
2、密度低，收發(fā)機(jī)易于數(shù)字化，適合于高速無線通信，因此得到了廣泛關(guān)注。本文基于0.18um CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一個(gè)應(yīng)用于UWB接收機(jī)中的低噪聲放大器，在整個(gè)工作頻率范圍內(nèi)(3.1GHz～10.6GHz)，S11<-9.6dB，S21>17.245dB，而噪聲系數(shù)小于4.782dB。 根據(jù)源跟隨器被大電阻驅(qū)動(dòng)，則該源跟隨器的輸出阻抗基本上表現(xiàn)出一個(gè)電感的行為這一理論，本文在共源一共漏有源電感的基礎(chǔ)上提出了一種新的改善品質(zhì)因數(shù)的方法，
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 采用有源電感的CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì).pdf
- CMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與優(yōu)化.pdf
- CMOS超寬帶低噪聲放大器.pdf
- 射頻CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)及其功耗優(yōu)化.pdf
- RF CMOS低噪聲放大器研究.pdf
- 超寬帶CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì).pdf
- CMOS低噪聲放大器研究與設(shè)計(jì).pdf
- 差分CMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì).pdf
- CMOS毫米波低噪聲放大器設(shè)計(jì).pdf
- CMOS射頻低噪聲放大器分析與設(shè)計(jì).pdf
- SOI CMOS低噪聲放大器的研究與設(shè)計(jì).pdf
- CMOS低噪聲放大器的IC設(shè)計(jì)與研究.pdf
- CMOS射頻前端中低噪聲放大器的設(shè)計(jì).pdf
- CMOS電流模式射頻低噪聲放大器.pdf
- SiGe BiCMOS與CMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì).pdf
- CMOS射頻低噪聲放大器的研究與設(shè)計(jì).pdf
- CMOS寬帶低噪聲放大器的研究與設(shè)計(jì).pdf
- CMOS寬帶可變增益低噪聲放大器的設(shè)計(jì).pdf
- 低功耗RF CMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì).pdf
- ads設(shè)計(jì)低噪聲放大器
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論