電針改善VD模型大鼠學習記憶能力及對SCN clock,Bmal1,海馬CA1 ERK基因表達的影響.pdf

1、目的：
　　此研究以運用電針作為治療手段，從大鼠學習記憶能力改善的行為學變化，進一步到以生物鐘基因對ERK的調控作用作為切入點，分析電針對VD大鼠的治療作用，電針治療VD的可能的機制，為電針治療VD的臨床應用提供更為充分和可靠的科學依據。
　　方法：
　　1.采用Morris水迷宮測試作為研究手段，研究運用電針刺激2-VO法制作慢性腦缺血所致的VD模型大鼠的百會穴以及神門穴對其學習記憶能力的影響，及其與喜得鎮(zhèn)陽性藥、模

2、型對照組以及假手術組之間的差異。
　　2.本部分研究以VD模型大鼠作為研究對象，采用實時熒光定量 PCR技術，檢測模型大鼠使用電針治療后的SCN clock，Bmal1基因以及海馬CA1ERK基因相對表達量與喜得鎮(zhèn)陽性藥、假手術組以及模型對照組的差異。
　　結果：
　　1.VD模型大鼠morris水迷宮行為學檢測結果顯示陽性藥、電針組d4，d5定位航行潛伏期同模型組相比均有統(tǒng)計學差異；假手術組同模型組比較 d4為P<0

3、.05，d5無統(tǒng)計學差異?？臻g探索測分析顯示，電針組（P<0.01）、喜得鎮(zhèn)陽性藥組（P<0.05）以及假手術組（P<0.01）同模型組均相比在三象限進入次數中出現統(tǒng)計學差異。
　　2.定量PCR電泳結果顯示SCN clock、Bmal1及海馬CA1 ERK基因PCR產物只存在有特異性的單一條帶，且大小符合預期結果；優(yōu)化了各基因反應條件，獲得了最佳反應的條件以及體系；
　　3.電針刺激百會，神門穴可升高大鼠SCN中clock

4、基因的表達（P<0.05）；并對SCN Bmal1基因、海馬CA1 ERK1以及ERK2基因表達有改善趨勢.
　　結論：
　　1.空間探索指標中，電針和陽性藥組均出現了改善趨勢。可見電針對由缺血造成的VD模型大鼠的學習記憶能力下降有顯著改善作用，也為由缺血所導致的學習記憶能力下降的VD病人的針灸臨床治療選取提供了一定的參考。
　　2.電針組在各項指標中，SCN clock、Bmal1及海馬CA1 ERK基因均表現出了同