射頻VDMOS器件結(jié)構(gòu)研究.pdf

1、VDMOS(垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管)器件具有高輸入阻抗、高開關(guān)速度、寬安全工作區(qū)以及很好的熱穩(wěn)定性等特點，廣泛應(yīng)用于移動通信、雷達(dá)、開關(guān)電源、汽車電子、馬達(dá)驅(qū)動、節(jié)能燈等各種領(lǐng)域。 由于我國90％以上VDMOS產(chǎn)品需要進(jìn)口，因此對VDMOS器件的物理特性及電學(xué)特性研究與建模有著重要實際意義。 通過使用器件模擬軟件ISE，建立了VDMOS器件模型，比較了VDMOS器件的擊穿電壓和外延層濃度、溝道濃度的關(guān)系，分析了準(zhǔn)飽和

2、特性產(chǎn)生的原因和影響因素，提出了改進(jìn)方法并進(jìn)行了驗證。通過參數(shù)模擬比較，得到了VDMOS設(shè)計的基本原則。 在ISE平臺上模擬并研究了VDMOS的電容特性，總結(jié)了柵漏電容Cgd和漏源電壓Vds的關(guān)系；分析了柵氧層厚度和長度、漂移區(qū)濃度、溝道區(qū)濃度等參數(shù)對Cga的影響。虛擬柵結(jié)構(gòu)對電容特性的改善作用得到了驗證。 介紹并分析了對耐壓作用有著明顯提高的超結(jié)結(jié)構(gòu)，對其工作機(jī)理以及存在的缺陷進(jìn)行了闡述。同時引入了一種在工藝上更為可行