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1、東南大學(xué)碩士學(xué)位論文VDMOS器件工藝模擬的研究與分析姓名：姜艷申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：微電子與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：沈克強(qiáng)20080201／kbstraCtVDMOSisanewgenerationofpowerelectronicswitchingdevicesRegardlessofbeingtheswitchapplicationorthelinearapplication，VDMOSistheidealpowerdeviceIt
2、isthecurrentsemiconductorseparatescomponent’8highendproduct，theapplicationscopeisbroadthemarketdemandisbig，andtheprospectsfordevelopmentaregoodVDMOSmainlyappliesintheelectricalmachineryvelocitymodulation，theinvertortheUP
3、S，theelectronicswitching，thehighfidelitysound，theautomobileelectricapplianceandtheelectronicballastandsoonSoitisnecessarytomakeadeepresearchtotheVDMOSdesignandthedevelopmentinviewofthiskindofsituationTheprocessofVDMOSand
4、theinfluenceofprocesstothedevicecharacteristicweremainlydiscussedTheprocessofVDMOSWasbothsimulatedandoptimizedwiththeaidofTSUPREM[4andtheMEDICIInthispapera600V5AVDMOSWasfirstdesignedEpitaxiallayerthicknessanddopingconcen
5、trationwerederivedforbreakdownvoltagerequirements；GateoxidethicknessandPdopingconcentrationwerederivedforthresholdvoltagerequirements；InordertOincreasethecurrentdensityteduceonresistance，andeasytoplate，astripcellwasused，
6、andcellsizehadbeenoptimizedInordertoincreasebreakdownvoltage，theterminalwasalsodesignedSecond，themainparametershavingimportantimpactontheindividualprocessofVDMOSdevicesarederivedbyusingthetheoreticalmodel，andthelawofindi
7、vidualprocesswiththechangesofprocessparameterswasresearchedthroughTSUPREM4Third，theprocesssimulationandtheelectricitycharacteristicsimulationwithTSUPREMR4andtheMEDIClweremadetoVDMOSdevices，andtheprocessofVDMOSdevicesWaso
8、ptimizedInthesimulation，theproblemthatexcessivediffusiontothePareacausesthedelayofoutputcharacteristicwassolved，andallefficaciousmethodtoimprovethesaturationeffectWasproposedTheinfluenceofthemethodtOtheVDMOSdevicestructu
9、re，thebreakdownvoltage，aswellastheoutputcharacteriwasmainlydiscussedThesimulationWascarriedonunited謝tllthedevelopmentofVDMOSThestructureandtheelectricitycharacteristicaswellashypothesizedmanufacture’SVDMOStalliesbasicall
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