2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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1、西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文用于篩選的VDMOS器件抗輻照能力表征參量研究姓名：王黨會申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：杜磊20070101AbstractAlong謝ththestudyingoflowfTequencynoiseofelectroniccomponents。peoplediscoveredthatthelowlequencynoiseissensitivityteflectthelatentdamage

2、sofelectroniccomponentsSopeopleCalluselowffequencynoiseofelectroniccomponentsasareliabilitywayAsawayofchameteringthereliabilitylowfrequencynoiseofelectroniccomponentshasexcellencesofcomulontoapplyhighsensitivitynondestru

3、ctiveandquicktomeasureandbecameabriefandeffectivetooltocharacterthereliabilityofelectroniccomponentsThispaperintroducetheionizationradiationeffectsofVDMOSFETthephysicalmechanismof1／fnoiseoriginbasedonthetheories，measurin

4、gtheelectricityparameters，noiseparametersandradiationexperiments，andgettingagreatlotofVDMOSFETdataFortheabilityofantiradiationofVDMOSFETthatusedI／fmethodhavestudiedfurtherandobtainedthestudyconclusionsasfollowing：1Therad

5、iationexperimentsofVDMOSFET稍thdifferentchannelandtypeincludingthentype，Ptype，militaryandcolnlllerceprodnctshavebeenmadeusingcobalt60asirradiationsourceTheresultsdemonstratedthat1hereareobviousrelationshipsbetweenl∥noiseo

6、fpreradiationandthechangesofthresholdvoltageandlzausconductanceafterradiationTheories咖dyhaveshownthatthemagnitudeof1／／noisebecomeslargewiththedoseofradiationaddingwhichl竹edicatesthemoretappedchargesinducedbyradiationandi

7、tsdistributionisalsochanged2Comparedelectricityparameterswithnoiseparameterspostirradiationexperiments，edvancingtheoryanalysisshowsthatthresholdvoltagedriftand仃ansconduc劬cedegradationpostradiatioJxComparedthesensitivityb

8、e￡wccntheelectricityparameterswithnoiseparametersprovedthatthecorrelationb咖eenelectricityparametersandnoiseparameters3。TheworkdoneaboveshowedthatpeoplecanuseI／fas祖analysistooltocharact日theabifityofVDMOSFETsantiradiationP

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