砷化鎵基半導體材料抗輻照噪聲表征參量研究.pdf

1、砷化鎵作為第二代半導體材料的代表，在高能對撞物理實驗、航天科技和核放射性廢料檢測等輻照環(huán)境下有著重要的應(yīng)用。為此，對砷化鎵材料的輻照效應(yīng)及其抗輻照能力進行研究是很有意義的。但目前我國還未見有一種簡單、快速且完全非破壞性的技術(shù)來對其抗輻射能力進行評估。低頻噪聲在表征硅器件的輻照損傷時取得了極大的成功，而且它的技術(shù)特點也符合對砷化鎵材料輻照損傷進行表征的技術(shù)要求。 本文采用傳統(tǒng)的電學參數(shù)測量技術(shù)和低頻噪聲技術(shù)，對砷化鎵材料的低劑量伽

2、瑪輻照效應(yīng)進行了研究。通過傳統(tǒng)電學參數(shù)和低頻噪聲表征參量的對比，結(jié)果發(fā)現(xiàn)輻照后噪聲表征參量的退化比電學參數(shù)的退化高了一個數(shù)量級。這說明了在表征砷化鎵材料抗輻照能力方面，低頻噪聲參量比傳統(tǒng)電學參數(shù)更加的靈敏。 本論文的主要工作和結(jié)論有： (1) 詳細研究了砷化鎵材料輻照損傷的微觀機制，提出了低劑量伽瑪輻照對砷化鎵材料的影響主要是使其中的缺陷帶電狀態(tài)發(fā)生改變的觀點。 (2) 分析了傳統(tǒng)電學參量和低頻噪聲參量對輻照的響