150V VDMOS器件用外延層結構設計.pdf

1、VDMOS器件作為新一代功率集成電力電子器件之一，應用領域包含常見的家庭消費類電子設備、汽車電子系統(tǒng)、智能電網(wǎng)，以及各類工業(yè)設備、動力機車、航天、船舶系統(tǒng)，是現(xiàn)代生活不可或缺的重要電子元件。而目前國內所有的功率VDMOS器件都用硅外延片制作，VDMOS器件的品質性能和高質量的硅外延材料緊密相連。針對具體器件用硅外延片結構進行細化設計不僅能夠提高器件性能及研制成功率，同樣也是外延廠家的迫切需要，因此具有較高的研究價值。
　　本論文首

2、先對VDMOS功率器件用外延材料進行結構解析，明確外延層的結構組成。然后借助Tsuprem4和Medici模擬軟件平臺，對不同結構外延層制作的VDMOS器件進行仿真研究。通過仿真分析外延層電阻率及其均勻性對器件性能的影響，得出外延層電阻率與器件擊穿電壓與導通電阻存在標準線性關系;通過仿真分析外延層厚度及其均勻性對器件性能的影響，得到外延層有效厚度必須大于臨界穿通厚度;通過仿真分析外延層過渡區(qū)形貌對器件性能的影響，指明器件工藝是影響過渡區(qū)