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1、東南大學(xué)碩士學(xué)位論文250VVDMOS設(shè)計(jì)姓名:劉俠申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):軟件工程(集成電)指導(dǎo)教師:陸生禮蔡世俊20070126AbstractWiththedeVelopmentofthepowerdeviceVDMOShasaprom/singfutureThekeytechnologyofVDMOSdeVicedesignthatmwithstandhighbreakdownVoltageiscomplexanddifficu
2、lttobccompatiblewithalowRhWiththebreakdownVoltageincreasingofVDMOS。theresistiVityandthicknessof印haxyisrisingwhichresultstheascendingofdeVicesonresistantTobeawelldesignedVDMOSdevice,thelowest&misthetargetifthebreakdownVol
3、tagehadsatisfiedthedemandInthisthesis,aVDMOSwhichhashighbreakdownVollage(morethan250V)andlowRd‰isdesignedFirstly/ntheintroductionsectionthehisloryoftheinVentionsanddevelopmentofpowerdeVicesa砧introducedThanmthesecondchapt
4、erthedeViceisgotapproximateValueoftheparameterbystruaformulalsuprem4andMedicianusedtooptimi口theValuesgotbyapproximatecalculationTheprocessoftheVDMOSisextractedinthethirdchapter∞meproblemsaIeintroducedandmethodgotfromthes
5、hortloopexperimenttopreVentthemisalsoshowedinthischapterInthelastchapterthepackageofthedeViceandyicIdaretoldTheVDMOSdesignedinthisthesishasa270VbreakdownVoltageinoffstateanda1514m0mln2RmpAnditiscompatiblew汕thestandard250
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