高壓VDMOS的設計與工藝仿真.pdf

1、隨著電力電子技術的高速發(fā)展，高壓VDMOS器件的作用正日益顯現出來。但是目前VDMOS功率器件的研制在我國還處于起步階段，對于高壓VDMOS的研究還不夠成熟。因此本課題旨在設計高壓VDMOS功率器件結構并對其進行仿真和工藝研究。
　　本文從VDMOS的特點和應用領域出發(fā)，介紹了VDMOS功率器件的基本結構和工作原理，詳細分析了影響VDMOS性能的重要參數，其中最重要的就是擊穿電壓和導通電阻的權衡問題；著重論證并建立了VDMOS的導

2、通電阻模型和寄生電容模型；另外還分析了轉移特性、擊穿特性等器件重要特性。
　　在器件結構設計方面，從物理結構及相關參數出發(fā)進行了設計計算。分析了元胞基本結構及工作原理，在滿足預設擊穿電壓基礎上，設計器件各部分尺寸及摻雜濃度；在工藝方面，優(yōu)化設計了高壓VDMOS的工藝流程，計算并調整了工藝參數，最后利用SENTAURUS PROCESS編譯仿真了VDMOS模型，將工藝仿真結果導入到SENTAURUS DEVICE中進行器件仿真；在終