射頻CMOS工藝中可變電容的特性研究及建模.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著無(wú)線通訊技術(shù)的飛速發(fā)展和半導(dǎo)體微縮技術(shù)進(jìn)入納米尺寸,高性能的CMOS射頻集成電路已成為發(fā)展無(wú)線通訊的重要目標(biāo)。射頻集成電路作為無(wú)線通訊系統(tǒng)的收發(fā)端,對(duì)射頻通訊元件的性能提出了要求?？勺冸娙菔巧漕l電路中的重要元件之一,常用于可調(diào)濾波器和LC壓控振蕩器(VCO)等射頻模塊電路。本文圍繞CMOS工藝中的可變電容作了一系列的研究。首先,對(duì)可變電容的原理特性進(jìn)行簡(jiǎn)單的闡述。其次,利用中芯國(guó)際(SMIC)先進(jìn)的130nm和65nm工藝設(shè)計(jì)并制造

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