CMOS Ka波段射頻前端研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著高速信息時代的到來，人們的生活在快速的信息交換中發(fā)生著巨大的變化。無線通信因為它的便捷性，在越來越多的領域開始超過有線的網(wǎng)絡。與此同時，人們對于無線通信也有更高的要求，越來越多的無線通信功能被集成到智能設備之上，小型化、低成本、能長時間工作是市場的需求，因此低功耗、高集成的射頻芯片成為現(xiàn)在研究的熱點。
　　本文中提出了一種比較新穎的電路復用結構，將壓控振蕩器(VCO)和混頻器(Mixer)融合在一起，簡稱MV結構。MV結構將壓

2、控振蕩器與混頻器之間相似的電路進行整合，振蕩器一方面作為混頻器的負載，一方面又單獨工作，產(chǎn)生本振信號，并且它們共用一組電流偏置，從而既實現(xiàn)電流的復用又實現(xiàn)了器件的復用，達到功耗和面積的減小。
　　本文電路的實現(xiàn)采用了SMIC0.18um RF CMOS工藝，并在Cadence環(huán)境下進行了版圖設計與后仿真。本文中設計MV工作在Ka波段(26.5～40GHz)，由于Ka波段下，工藝庫中的電感并不能滿足設計的要求，文中采用了微帶線的方式

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