自適應(yīng)零點(diǎn)補(bǔ)償?shù)牡蛪航惦娫凑{(diào)整器的設(shè)計(jì).pdf

1、高電源效率、高電源電壓抑制比、高精度、輸出負(fù)載工作范圍廣等高性能的低壓降電壓調(diào)整器(LDO)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)是本論文的核心。本文以介紹最新的文獻(xiàn)提出的幾種LDO及其補(bǔ)償方式為切入點(diǎn),分析其優(yōu)缺點(diǎn)后,提出本文的核心思想,自適應(yīng)的零點(diǎn)補(bǔ)償方式,用可變電阻實(shí)現(xiàn)的nulling resistor的兩級(jí)放大器作為LDO中的誤差比較電路,大大提高了LDO的各項(xiàng)性能指標(biāo)。在LDO的主電路的設(shè)計(jì)和輔助電路的設(shè)計(jì)中,都考慮了低電流的設(shè)計(jì)以提高系統(tǒng)電源效率。設(shè)

2、計(jì)了低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)、電流偏置電路提供芯片與溫度和電源電壓無關(guān)的低溫度系數(shù)的電壓電流偏置。另外考慮到芯片工作的可靠性和穩(wěn)定性,增加了過流保護(hù)電路、過溫保護(hù)電路等。在前仿真方面,詳細(xì)仿真了在各種負(fù)載的條件下LDO主電路的開環(huán)AC特性、瞬態(tài)特性等。輔助電路也進(jìn)行了詳細(xì)的仿真,確定了正確的功能,對(duì)于形成環(huán)路的電路進(jìn)行開環(huán)AC分析以確定系統(tǒng)的穩(wěn)定性。LDO在hynix 0.5 um2P3M(雙層多晶硅三層金屬)混合信號(hào)CMOS工藝流片。測(cè)試