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文檔簡介
1、GaSb基雙極級聯(lián)新結(jié)構(gòu)量子阱激光器可以有效提高器件輸出功率，改善器件特性，近年來受到廣泛的關(guān)注。
本文針對高質(zhì)量的GaSb基銻化物材料生長和特性表征作了較細(xì)致的研究工作，在超薄層外延生長，量子阱結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計等方面取得了一些進(jìn)展。在此基礎(chǔ)上對InGaAsSb雙極級聯(lián)新結(jié)構(gòu)量子阱激光器結(jié)構(gòu)進(jìn)行了理論優(yōu)化設(shè)計，取得了如下結(jié)果：
理論上分析了GaSb基材料的基本性質(zhì)，采用線性插值法計算了InGaAsSb、AlGa
2、AsSb四元體系的晶格常數(shù)、禁帶寬度、折射率，并利用分子束外延(MBE)技術(shù)對GaSb、InSb以及InGaAsSb/AlGaAsSb/GaSb多量子阱材料的外延生長進(jìn)行了深入的研究，分析了生長溫度、生長速度、V/Ⅲ束流比、摻雜及生長速率等一些重要工藝參數(shù)對材料特性的影響。優(yōu)化了量子阱激光材料生長的最佳工藝條件，利用RHEED，X射線雙晶衍射，光熒光譜對材料進(jìn)行了檢測與分析。并成功地獲得了高質(zhì)量的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子
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