InGaAsSb-AlGaAsSb量子阱結構及光譜分析.pdf

1、本文研究了銻化物Ⅲ–Ⅴ材料和InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱結構的MBE生長，利用Hall、XRD、光致發(fā)光（PL）等測試儀器對材料特性進行表征分析，成功制備了發(fā)光特性較好的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱結構材料。
　　采用分子束外延技術同質外延制備了GaSb材料，并利用Hall測試儀、X射線衍射、光致發(fā)光譜對材料特性進行表征分析，測試結果表明所制備材料質量較好。對摻雜材料的溫度對N型碲（Te）摻雜和P型鈹（Be

2、）摻雜GaSb的載流子濃度的影響進行了研究，Hall測試數(shù)據(jù)表明采用較高的摻雜材料溫度所制備的GaSb材料具有較高的載流子濃度，并制備獲得了材料內部載流子濃度可控，且滿足器件要求的GaSb。
　　對InAsSb、GaAsSb三元系銻化物材料的MBE生長進行了研究，實現(xiàn)了四元合金組分的調控。對制備的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料進行XRD和PL測試，測試結果表明量子阱材料具有較好的晶體質量和具備2m的發(fā)光能力。對量子阱