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文檔簡介
1、為了解決半導體激光器在高溫、高功率情況下工作時,出現(xiàn)的閾值電流升高,波長漂移,發(fā)光效率下降等問題,我們設(shè)計并制作了具有高特征溫度的AlInGaAs/AlGaAs應變量子阱激光器。 首先我們提出影響量子阱激光器特征溫度的四個主要因素,并對其進行了理論分析。以AlInGaAs/AlGaAs為例研究了應變對提高激光器特征溫度的優(yōu)勢。通過綜合考慮各個因素,我們對AlInGaAs/AlGaAs激光器進行了優(yōu)化設(shè)計,并成功制作出波長為808
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