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1、本論文針對高質(zhì)量的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的特點和存在的問題，對激光器的結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化設(shè)計，并進行了銻化物的分子束外延(MBE)生長、激光器的制備以及材料的研究。分析了各結(jié)構(gòu)參數(shù)對量子阱材料性能的影響。取得了如下結(jié)果： 從GaSb基材料(InGaAsSb、AlGaAsSb)的基本性質(zhì)著手，通過二元系和三元系材料參數(shù)計算四元系材料的晶格常數(shù)、禁帶寬度等，著重分析了單層InGaAsSb、AlGaAsSb材料的M
2、BE生長參數(shù)及工藝，設(shè)計并生長了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱半導(dǎo)體外延材料。利用X射線雙晶衍射和PL譜研究了材料的結(jié)構(gòu)特性和光學(xué)特性。通過生長條件的優(yōu)化并結(jié)合理論分析，我們制備了不同波長的GaInAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料，阱厚為10nm的In<,0.173>Ga<,0.827>As<0.02>Sb<,0.98>/Al<,0.2>Gao<,0.8>As<,0.02>Sb<,0.98>5個量子阱材料，在X射線雙晶
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