用于GaAs基量子級(jí)聯(lián)激光器的歐姆接觸新結(jié)構(gòu)、工藝與測(cè)量.pdf

1、MBE GaAs基量子級(jí)聯(lián)激光器是采用分子束外延的方法,在GaAs的表面生長(zhǎng)出一系列的量子阱,利用量子級(jí)聯(lián)的原理產(chǎn)生諧振光,從而得到穩(wěn)定的激光輻射源。這些量子阱的厚度均為納米級(jí)甚至分子層厚度,雜質(zhì)對(duì)該器件的發(fā)光效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生巨大影響。激光器是高功率器件,工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量能量,現(xiàn)有器件的使用往往需要液態(tài)氣體來降溫,這樣就大大減小了激光器的實(shí)用性。歐姆接觸作為器件連接的關(guān)鍵組件,其電阻率的高低直接影響到器件的輸出效率?，F(xiàn)有的AuGeNi系統(tǒng)在制

2、作歐姆接觸的過程中,Ni會(huì)對(duì)有源區(qū)有著大量的擴(kuò)散,這對(duì)于激光器的量子級(jí)聯(lián)效應(yīng)是非常不利的。此外,在經(jīng)歷通常歐姆接觸制作工藝所必需的退火工藝后,歐姆接觸的最上層金屬(Au)產(chǎn)生了非光滑表面,這對(duì)于光學(xué)敏感的激光器器件來說,也是非常不利的。針對(duì)上面提出的問題,本課題研究了可用于量子級(jí)聯(lián)激光器上的歐姆接觸:1、通過理論分析和工藝實(shí)驗(yàn)獲取了GaAs歐姆接觸結(jié)構(gòu)制作工藝參數(shù)；2、通過對(duì)模型的進(jìn)一步分析和對(duì)測(cè)量結(jié)構(gòu)的改進(jìn)設(shè)計(jì)改良了GaAs歐姆接觸電