微環(huán)激光器的設(shè)計與測量.pdf

1、本文采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料結(jié)構(gòu)，利用感應(yīng)耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術(shù)和聚酰亞胺介質(zhì)平坦化工藝，研制了多量子阱半導體環(huán)形激光器樣品。微環(huán)諧振器在光通信方面具有廣泛的應(yīng)用。由于微環(huán)諧振器的諧振不需要腔面或光柵來提供光反饋，因此十分有利于和其他光電子元器件的單片集成。研制此類器件的目的在于利用該器件的光學雙穩(wěn)態(tài)特性，通過多環(huán)甚至環(huán)形陣列等結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)全光存儲。首先通過計算器件參數(shù)，設(shè)計出多種合理的環(huán)波導與直波導

2、尺寸及耦合距離；再利用干法刻蝕等半導體工藝技術(shù)加工出成品。在測試過程中，通過向環(huán)形結(jié)構(gòu)諧振腔加正電壓以實現(xiàn)光激射，然后借助緊鄰的直線波導耦合將光信號輸出。環(huán)形諧振腔在激射的過程中，受微環(huán)諧振方程的限制，會自動將諧振頻率選定在1550nm左右。在測試過程中，需考慮光纖與直波導端口的耦合效率問題及器件的散熱問題。用光纖與直線波導端口耦合測試了環(huán)形激光器的光功率—電流特性曲線和激射光譜，得出當環(huán)形諧振腔直徑為700μm，波導寬度為3μm時，閾