半導體激光器歐姆接觸工藝的研究.pdf

1、分類號：UDC：密級：豆公匠編號：——半導體激光器歐姆接觸工藝的研究StudyonOhmicContactofSemiconductorLasersProcess學位授予單位及代碼：籃壹毽王太堂(!：壘i題≥學科專業(yè)名稱及代碼：光堂≤鯉鰉Q2≥摘要本論文主要針對GaAs基材料歐姆接觸的形成原理、工藝制備及測量方法進行了研究。在對論文題目的研究背景、國內(nèi)外發(fā)展狀況進行簡單介紹的基礎上，闡述了ⅢV族材料及砷化物材料的性質(zhì)以及歐姆接觸的相關理

2、論。從理論與工藝制備兩方面分別分析了對歐姆接觸性能好壞的影響因素，并同時針對r1GaAs和pGaAs進行了歐姆接觸的工藝優(yōu)化及分析。對11GaAs采用了Ni／AuGe／Ni／Au=5／100／35／300rim的金屬化結(jié)構(gòu)，對PGaAs采用了T卯t／Au=30／50／150nm的金屬化結(jié)構(gòu)。論文詳細討論了快速熱退火工藝對歐姆接觸的影響，通過矩形傳輸線模型法對不同條件下的實驗樣品進行了測量并通過計算得到比接觸電阻率值。首先對測量值與實際值

3、間的誤差進行了分析，利用測量結(jié)果繪制成的曲線分析了快速熱退火對GaAs材料歐姆接觸的電學特性和物理化學變化過程。然后利用掃描電鏡測量了不同條件下合金后表面的形態(tài)變化，并針對其變化進行了細致的分析。采用優(yōu)化后的工藝參數(shù)制各了波長為808rim的半導體激光器器件，器件的串聯(lián)電阻為O12Q，在最大工作電流為4A的情況下，輸出功率為3W。本論文的研究為降低GaAs基半導體激光器的串聯(lián)電阻和提高器件的輸出功率提供了理論基礎和實驗依據(jù)，并對其它Ga