1.06μm半導(dǎo)體激光器材料結(jié)構(gòu)設(shè)計與外延生長

1、分類號：U DC ：密級：可公開編 號：1 ．0 6 1 噸m 半導(dǎo)體激光器材料結(jié)構(gòu)設(shè)計與外延生長1 ．0 6 1 u L m E m i t t i n gW a v e l e n g t h S e m i c o n d u c t o rL a s e rM a t e r i a l S t u r c t u r ed e s i g na n dE p i t a x i a l G r o w t h學(xué)位授予單位及代碼

2、：長春理工大學(xué) ( 1 0 1 8 6 )學(xué)科專業(yè)名稱及代碼：絲電王堂量固簽電王堂! Q Z Z 墨Q 圣2研究方向：圭昱簽邀當(dāng)塑堡皇堇查 申請學(xué)位級別：亟 ±指導(dǎo)教師：奎鹽 研 究 生：蘊(yùn)逛皇論文起止時間：2 0 1 2 ．9 —2 0 1 3 ．1 2摘 要本文通過理論分析和軟件模擬，設(shè)計了I n G a A s ／G a A s 材料的半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)。利用L P —M O C V D ( 低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積) 系統(tǒng)

3、進(jìn)行實驗生長，通過對比試驗和常溫P L ( 光熒光) 測試，詳細(xì)討論了量子阱中I n 的組分、生長速率、生長溫度、V ／I I I L E 值和襯底偏向角度等條件對樣品發(fā)光特性的影響。經(jīng)測試，樣品在常溫下P L 發(fā)光F W H M ( 半峰寬)可以達(dá)到1 5 ．2 n m 。在原有結(jié)果基礎(chǔ)上設(shè)計了G a l n P 應(yīng)變緩沖層和G a A s P 應(yīng)變補(bǔ)償勢壘層，來進(jìn)一步改善樣品的發(fā)光特性。通過實驗和P L 測試，確定G a l n P

4、 的生長條件，該條件下G a l n P 室溫下P L 發(fā)光F W H M 可以達(dá)到1 2 ．8 n m 。詳細(xì)討論了勢壘生長溫度、襯底偏向角和V ／I I I L k值對G a A s P 生長質(zhì)量的影響，探究了G a A s P 的最佳生長條件，在該條件下，G a A s P 的常溫P L 測試F W H M 可以達(dá)到2 5 ．4 n m 。關(guān)鍵詞：黼 l n G a A s ／G a A s P L G a I n P G a ^