808nm半導(dǎo)體激光器的設(shè)計(jì)與分析.pdf

1、分類號(hào)TN3128密級(jí)公開重慶郵電大學(xué)碩士學(xué)位論文semiconductorlaser碩士研究生朱陳忠指導(dǎo)教師學(xué)科專業(yè)論文評(píng)閱人盈艘魚聾塹緝磁壘塹!擔(dān)竺函答辯委員會(huì)主席!翟之塹絲盤煎鯉螳。2013年4月20日重慶郵電大學(xué)碩士論文摘要摘要隨著激光技術(shù)的發(fā)展，光電子技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的不斷提高，半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用已經(jīng)覆蓋了整個(gè)光電子領(lǐng)域，是當(dāng)前光電子科學(xué)的核心。808nm半導(dǎo)體激光器主要用于泵浦Nd：YAG固體激光器或者制作成陣列來大大增加輸出功率

2、達(dá)到市場(chǎng)要求。由于作為泵浦源的半導(dǎo)體激光器要求具有功率大、閾值電流低、量子效率高等特點(diǎn)，傳統(tǒng)的體材料激光器已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)要求，從而作為半導(dǎo)體激光器發(fā)展里程碑的量子阱激光器成為現(xiàn)階段半導(dǎo)體激光器研究的熱點(diǎn)。量子阱激光器利用其極薄的有源區(qū)而產(chǎn)生量子效應(yīng)的特點(diǎn)，極大地降低了器件的閾值電流，并且提高了激光器的輸出功率和量子效率。本文首先綜述了大功率半導(dǎo)體激光器的發(fā)展及其應(yīng)用，然后從理論上分析了大功率激光器的原理，接著設(shè)計(jì)了808nm半導(dǎo)體激光

3、器的結(jié)構(gòu)。通過理論分析和模擬仿真，得到有源區(qū)結(jié)構(gòu)的材料和尺寸，即取InGaAIAs為量子阱材料，通過軟件模擬仿真了鋤的組分變化對(duì)特征溫度的影響以及量子阱厚度、特征溫度和材料增益的關(guān)系，得出砌取013，彳，取012，厚度取10nm的結(jié)論。設(shè)計(jì)了其他外延層結(jié)構(gòu)，模擬了不同波長(zhǎng)的材料增益曲線，得出了在808nm左右波長(zhǎng)處有最大增益的結(jié)論。經(jīng)過工藝制作以及對(duì)散熱部分的溫度場(chǎng)模擬，獲得了激射波長(zhǎng)為808nm，輸出功率為200W，光譜半寬為44nm