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文檔簡介
1、InGaAs/GaAs應(yīng)變量子階激光器具有極低的閾值電流密度、較高的特性溫度和較高的光學(xué)災(zāi)變損傷閾值,這使得激光器具有更高的輸出功率和更長的壽命.因此InGaAs/GaAs應(yīng)變量子阱結(jié)構(gòu)可以用于大功率半導(dǎo)體激光器的制備. 該文采用MBE生長方法制備了高功半導(dǎo)體激光器列陣.激光器的生長結(jié)構(gòu)采用InGaAs/GaAs/AlGaAs分別限制應(yīng)變單量子階線性緩變折射率波導(dǎo)結(jié)構(gòu),列陣條寬為4 mm,通過SiO<,2>掩膜,歐姆接觸和腔面鍍膜等工藝
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