InGaP-GaAs HBT工藝射頻ESD保護電路.pdf

1、隨著無線通信技術(shù)的不斷發(fā)展，RFIC(射頻集成電路)應(yīng)用范圍越來越廣。InGaP/GaAs HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)具有高電子遷移率、高電流增益、低基區(qū)寄生電阻、襯底損耗低等優(yōu)點，是RFIC中廣泛采用的一種工藝。然而，由于GaAs材料的散熱能力比Si差，且晶體管的結(jié)構(gòu)是垂直的，因此InGaP/GaAs HBT的散熱能力較差。同時，InGaP/GaAs HBT的基區(qū)外延層很薄，高電流密度下，晶體管很容易損壞。因此，InGaP/GaAs

2、HBT工藝射頻集成電路可靠性的重要影響因素就是晶體管的可靠性。而影響晶體管可靠性的一個重要因素就是ESD（靜電放電）。
　　 論文簡要介紹了ESD現(xiàn)象以及ESD對集成電路的影響，綜述了課題的研究背景。詳細介紹了ESD測試標準和模型，分析研究了電路中器件的失效機制，簡要介紹射頻電路分析方法。在介紹現(xiàn)有的基于InGaP/GaAs HBT工藝射頻ESD保護電路的基礎(chǔ)上，研究了一種新型的基于達林頓結(jié)構(gòu)的ESD保護電路，提出了基于InGa

3、P/GaAs HBT工藝窄帶功放全芯片ESD保護網(wǎng)絡(luò)的方案。并根據(jù)InGaP/GaAs HBT工藝功率放大器的特點，介紹了輸入、輸出、電源ESD保護電路。為一款工作頻率1.9GHz帶寬20MHz的射頻功率放大器電路設(shè)計了ESD保護網(wǎng)絡(luò)。對電路的ESD防護性能和射頻性能并且進行了實際測試，結(jié)果顯示電路可以承受一定的ESD脈沖，且電路的射頻性能受ESD保護電路的影響很小。
　　 論文從整體上討論了ESD保護電路的模型和易損性分析，I