K575DX濺射鍍膜儀反應(yīng)濺射制備ZnO薄膜的研究.pdf

1、氧化鋅是一種直接帶隙的寬禁帶Ⅱ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，在室溫下禁帶寬度為3.27 eV，激子結(jié)合能為60 meV，具有良好的光電、壓電、熱電和鐵電等性能，可應(yīng)用于短波長(zhǎng)發(fā)光二極管、紫外激光器和表面聲波等光電器件的制備，近幾年來(lái)引起了人們廣泛的研究。
　　 直流反應(yīng)磁控濺射法(DCRMS)是一種良好的鍍膜技術(shù)，它結(jié)合了磁控濺射和反應(yīng)濺射技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，采用直流電源和金屬靶材，對(duì)設(shè)備要求低、耗能少，是制備氧化鋅薄膜常用的方法之一。K57

2、5XD離子濺射鍍膜儀為英國(guó)Emitch公司生產(chǎn)的高性能鍍膜儀，裝有磁控靶和雙濺射頭，可快速實(shí)現(xiàn)不同組成的高性能、精細(xì)薄膜的制備；經(jīng)適當(dāng)改裝后，在鍍膜儀上增加反應(yīng)氣體的進(jìn)氣氣路和基片加熱裝置，可滿足實(shí)驗(yàn)要求，用于直流反應(yīng)磁控濺射氧化鋅薄膜。
　　 本論文主要針對(duì)氧化鋅薄膜在光電領(lǐng)域的應(yīng)用，在改裝的K575XD離子濺射鍍膜儀上，應(yīng)用直流反應(yīng)磁控濺射方法研究高性能氧化鋅薄膜的制備。實(shí)驗(yàn)中，分別在不同的工藝參數(shù)下制備了氧化鋅薄膜，并用S