2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、為了獲得高速沉積下的高品質(zhì)a-Si∶H薄膜,使其能夠產(chǎn)業(yè)化,微波電子回旋共振化學(xué)氣相沉積(MWECR CVD)方法在國(guó)際上受到了人們廣泛的重視.MWECRCVD方法具有電子和離子產(chǎn)生率高等優(yōu)點(diǎn),人們期望它能在較高的沉積速率下獲得器件級(jí)質(zhì)量的a-Si∶H薄膜.因此,我們用MWECRCVD系統(tǒng)在不同的工藝條件下沉積了a-Si∶H薄膜.影響a-Si∶H薄膜沉積速率的機(jī)制非常復(fù)雜,這些機(jī)制與制備工藝條件有著密切的聯(lián)系.我們研究了工作氣壓、SiH

2、<,4>氣體流量和襯底溫度等工藝條件與a-Si∶H薄膜沉積速率的關(guān)系.同時(shí)為了獲得高沉積速率、大面積均勻的a-Si∶H薄膜,我們改變等離子體的磁場(chǎng)位形為磁鏡磁場(chǎng).研究了磁鏡磁場(chǎng)對(duì)薄膜沉積速率及均勻性的影響,并且在實(shí)驗(yàn)中得到了高沉積速率、大面積均勻的a-Si∶H薄膜.a-Si∶H薄膜的光電特性同膜中的氫存在密切關(guān)系.Fourier紅外透射(FTIR)譜是研究氫化非晶硅(a-Si∶H)薄膜中氫含量(C<,H>)及硅-氫鍵合模式(Si-H<,

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