MW-ECR CVD制備a-Si-H薄膜的光電特性研究.pdf

1、氫化非晶硅薄膜(a-Si：H)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于太陽能電池、薄膜晶體管(TFT)、大面積顯示技術(shù)等半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。但在光照條件下發(fā)現(xiàn)材料的光電特性會(huì)發(fā)生明顯光致衰退(該現(xiàn)象又稱為光誘導(dǎo)亞穩(wěn)效應(yīng)SWE)卻嚴(yán)重地限制了其應(yīng)用和發(fā)展。目前，對其微觀機(jī)制還尚未徹底搞清。 很多研究者已經(jīng)發(fā)現(xiàn)向薄膜中引入H及Si、H鍵合模式對a-Si：H的光電特性有著決定性作用，而且隨著多氫硅化合物(Si-H2、Si-H3、(Si-H2)n)的增大，會(huì)造成薄

2、膜的懸掛鍵缺陷態(tài)密度增大、光電導(dǎo)率下降及光致衰退的惡化。因此，減少氫含量并控制好硅氫鍵合結(jié)構(gòu)就顯得尤為重要。 采用熱絲輔助微波電子回旋共振化學(xué)氣相沉積(HW-MWECRCVD)系統(tǒng)制備的a-Si：H薄膜，由于其較高的沉積速率和氣體利用率、良好的均勻性及較低的氫含量(能控制在10％左右)，而表現(xiàn)出優(yōu)越的光電特性。本論文著重研究了氣體流量、襯底溫度、熱絲溫度及暗電導(dǎo)激活能對光敏特性的影響，并發(fā)現(xiàn)襯底溫度保持在120～130℃，熱絲溫