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文檔簡介
1、本文主要對MW-ECRCVD系統(tǒng)沉積的a-Si：H薄膜進(jìn)行了一系列的光電特性的測試研究工作。通過分析Layer-By-Layer方法、化學(xué)退火法不同的制備工藝條件對薄膜光電特性的影響，得到合理化的制備工藝條件，以期將非晶硅優(yōu)良光電特性與微晶硅的高穩(wěn)定性相結(jié)合，從而制備高光敏性和低光致衰退性的非晶硅薄膜。文章分析了采用LBL方法的制備工藝條件對氫化非晶硅薄膜的光敏性的影響。Layer-By-Layer方法的制備工藝條件很多，在以往實驗和理
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