基于AM-OLED的a-Si-H TFT的設(shè)計與工藝研究.pdf

1、有源矩陣驅(qū)動顯示技術(shù)已經(jīng)成為當前平板顯示技術(shù)的主流。非晶硅薄膜晶體管(a-Si:H TFT)作為一種成熟的電子器件，因其大面積制造成本低廉、工藝重復性良好、開關(guān)速度適當，非常適合于有源矩陣顯示器件。此外，a-Si:H TFT較低的制備溫度使其具有可制作在柔性基底的優(yōu)點。因此，采用具有液晶顯示產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)的a-Si:H TFT來驅(qū)動OLED無疑具有重大的意義。本文以研制性能優(yōu)良AM-OLED用a-Si:H TFT為目的，探索了a-Si:H

2、TFT的制備工藝，并研究了a-Si:H TFT對AM-OLED穩(wěn)定性的影響。
　?。?）a-Si:H TFT組成膜的制備。采用PECVD方法，通過改變工藝參數(shù)，分別在不同襯底上沉積一系列a-SiNx:H、a-Si:H及n+Si:H薄膜樣品。使用橢圓偏振儀、超高電阻微電流計等測試儀器對樣品薄膜進行測試，摸索出沉積各層薄膜的較佳的工藝參數(shù)。
　?。?）a-Si:H TFT的結(jié)構(gòu)設(shè)計。結(jié)合OLED的需求及a-SiNx:H、a-Si

3、:H及n+Si:H薄膜的光電特性，設(shè)計TFT結(jié)構(gòu)為背溝道刻蝕型，結(jié)構(gòu)參數(shù)如下：a-SiNx:H厚度為300nm、a-Si:H的厚度為200nm、n+Si:H的厚度為50nm，柵極與源漏極采用的低電阻率Al電極厚度為200nm。此外，根據(jù)TFT結(jié)構(gòu)設(shè)計和整體布局，論文設(shè)計了三塊掩膜板，以獲得所需的a-Si:H TFT結(jié)構(gòu)陣列。
　　（3）a-Si:H TFT的制備。采用傳統(tǒng)的光刻和刻蝕工藝，經(jīng)三次套刻獲得整體a-Si:H TFT陣列

4、，其中，SiNx、a-Si:H、n+a-Si膜的干法刻蝕選用SF6氣體等離子刻蝕，Al膜的濕法刻蝕選用鹽酸、磷酸和水的配比刻蝕液。
　?。?）a-Si:H TFT性能測試。通過測試TFT漏極電流與柵極電壓，獲得所制備a-Si:H TFT的轉(zhuǎn)移曲線；測量了a-Si:H TFT的開關(guān)比，并對影響a-Si:H TFT性能的主要因素進行了分析。
　?。?）研究a-Si:H TFT特性對AM-OLED穩(wěn)定性的影響。主要分析了電流控制電