基于TFT工藝的射頻識(shí)別標(biāo)簽天線和電路技術(shù)研究.pdf

1、基于TFT工藝的射頻識(shí)別標(biāo)簽天線和電路技術(shù)研究薄膜晶體管技術(shù)(Tbin Film Transistor:簡稱TFT)目前廣泛運(yùn)用于大規(guī)模平板顯示開關(guān)陣列，它是一種不同于傳統(tǒng)的以硅為襯底的晶體管技術(shù)，具有可以在揉性襯底上制作、大規(guī)模制備和造價(jià)低廉等優(yōu)點(diǎn)。射頻識(shí)別(Radio Frequency Identification：簡稱RFID)技術(shù)以門禁卡、消費(fèi)卡等形式廣泛應(yīng)用于服務(wù)行業(yè)，目前正在以標(biāo)簽形式應(yīng)用于物流管理中。發(fā)展新型的RFID標(biāo)

2、簽技術(shù)尤其是揉性基底的RFID標(biāo)簽是本領(lǐng)域的熱點(diǎn)課題。 本論文探索將TFT技術(shù)應(yīng)用于RFID電路中的可行性，研究基于TFT工藝的射頻識(shí)別標(biāo)簽天線和電路技術(shù)。主要內(nèi)容包括：基于無定型硅TFT工藝，運(yùn)用有限元分析法，在3D電磁場仿真環(huán)境下設(shè)計(jì)出了螺旋電感式標(biāo)簽天線結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)和仿真結(jié)果表明螺旋電感天線在空間電磁場信號(hào)的接收能力上滿足應(yīng)用要求；在實(shí)驗(yàn)上，基于薄膜和厚膜工藝進(jìn)行了天線樣品的制備，對(duì)其靜態(tài)與動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行表征，獲得天線特性參量