控制納米線生長(zhǎng)的研究.pdf

1、分別研究了環(huán)境壓力、氣體流量、載氣種類(lèi)、沉積溫度和外加電場(chǎng)對(duì)硅納米線及硫化鎘晶須生長(zhǎng)的影響.獲得主要結(jié)果如下:1)環(huán)境壓力為100Torr時(shí),制備出平行排列生長(zhǎng)的硅納米線和硅微米晶須;氣體流量為70 SCCM時(shí),制備出既平直又分散的硅納米線;以氮?dú)鉃檩d流氣體制備出的硅納米線紐結(jié)較多,直徑分布不均勻,但是,其平均直徑較小.沉積溫度為900℃-1000℃時(shí),制備出的硅納米線直徑小,分布均勻,并且能夠平行排列生長(zhǎng).總之,通過(guò)該工作得到了比較優(yōu)

2、化的工藝參數(shù)為環(huán)境壓力100 Torr,氣體流量70 SCCM,載流氣體氬氣,沉積溫度900℃-1000℃.2)利用物理熱蒸發(fā)與外加電場(chǎng)相結(jié)合的辦法制備出大面積定向排列生長(zhǎng)的硅納米線.對(duì)定向排列生長(zhǎng)的硅納米線作X射線及透射電鏡分析,表明硅納米線中主要有硅、氧、銅和鋁,其選區(qū)電子衍射花樣證明全部為非晶體.在外加電場(chǎng)下沿直線平行排列生長(zhǎng)的硅納米線位于兩個(gè)結(jié)點(diǎn)之間;提出了以帶電團(tuán)簇模型為基礎(chǔ)的硅納米線的生長(zhǎng)機(jī)制.單純蒸發(fā)SiO粉末時(shí),氣體導(dǎo)電

3、現(xiàn)象嚴(yán)重,以至于無(wú)法加上電壓.在SiO粉末中加入銅粉后,大大減少了放電空間中的帶電粒子濃度,導(dǎo)致氣體放電條件變差,使得外加電場(chǎng)促進(jìn)了硅納米線的有序性生長(zhǎng).3)利用物理熱蒸發(fā)與外加電場(chǎng)相結(jié)合的辦法成功地制備出硫化鎘晶須,并研究外加電場(chǎng)對(duì)硫化鎘晶須生長(zhǎng)的影響.研究結(jié)果表明,硫化鎘晶須的生長(zhǎng)應(yīng)遵循氧化物輔助生長(zhǎng)機(jī)制;無(wú)論外加電場(chǎng)存在與否,沉積溫度越高,硫化鎘晶須越粗越長(zhǎng),但是沉積溫度對(duì)硫化鎘晶須的形狀沒(méi)有明顯影響.在有電場(chǎng)和無(wú)電場(chǎng)條件下的硫化