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文檔簡介
1、半導(dǎo)體納米線被譽(yù)為下一代微納電子器件的基本結(jié)構(gòu)。氮化鎵具有禁帶寬度大、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，是制作短波長發(fā)光器件和高頻大功率器件的理想材料。因此，生長GaN納米線成為目前的研究熱點(diǎn)。
本文基于氣—液—固(VLS)的生長機(jī)理，采用化學(xué)氣相沉積(CVD)的方法，研究硅襯底上GaN納米線的生長。主要研究成果如下:
(1)分別采用Ga和Ga/GaCl3為源材料，研究Ni催化劑輔助的GaN納米線生長。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:
2、Ga/GaCl3源可以獲得高密度且筆直的高質(zhì)量納米線。以Ga/GaCl3為源材料生長GaN納米線，為本文首次提出研究。
(2)分別采用Ga2O3、Ga以及Ga2O3和Ga混合物作為源材料，研究Au催化劑輔助的GaN納米線生長。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:Ga2O3和Ga2O3/Ga源容易生成彎曲的納米線，金屬Ga源可以獲得直的納米線，生長機(jī)制為Au催化的VLS機(jī)制。
(3)采用Au/Ni為催化劑，研究GaN納米線生長。研究發(fā)現(xiàn):采
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