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文檔簡介
1、半金屬鉍具有奇異的物理性能,是研究量子輸運現(xiàn)象的基礎(chǔ)材料。Bi納米線的物性不僅與其直徑有關(guān),而且與生長取向也有很大關(guān)系。本文的目的在于采用脈沖電化學沉積技術(shù),借助于陽極氧化鋁模板,生長不同直徑和不同取向的單晶Bi納米線,研究Bi納米線的熱學性能及其取向依賴性。從而為進一步深入理解金屬和半金屬的準一維納米材料的可控生長機制與奇異物性的起因起到一定的指導(dǎo)作用,并為納米熱電材料的最終應(yīng)用奠定一定的基礎(chǔ)。
采用硫酸和草酸溶液作為電
2、解液,通過兩步陽極氧化法制備出了直徑分別為12、36、60和80 nm的陽極氧化鋁模板。在此基礎(chǔ)上,采用脈沖電化學沉積技術(shù),成功地生長出直徑分別為12,36和60nm、[202]取向的單晶Bi納米線陣列和[104],[110]和[202]三種取向、直徑為60 nm的單晶Bi納米線陣列。
熱重分析表明,在所研究的溫度范圍內(nèi)Bi納米線質(zhì)量沒有明顯減小。采用差熱掃描量熱儀和多功能X射線衍射儀對Bi納米線的熔點和熱膨脹行為進行了系
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