CdSe基異質(zhì)結(jié)納米線的可控制備和振動(dòng)性能研究.pdf

1、近年來，一維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)納米材料成為當(dāng)今納米材料科學(xué)的研究熱點(diǎn)。一維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)可以“裁剪”一維同質(zhì)納米線的性質(zhì)，因此具有獨(dú)特的形貌結(jié)構(gòu)和許多特殊的性質(zhì)，在諸多領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用。本論文中研究基于CdSe的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)納米材料的可控制備和振動(dòng)性能研究。主要內(nèi)容包括:
　　 1、采用化學(xué)氣象沉積(CVD)方法，以CdSe和Ge粉末為原材料，通過控制Ge粉的量，使CdSe與Ge的摩爾比分別為1∶1，1∶2，1∶3和1∶4，在沉積區(qū)的不

2、同位置分別得到了四種產(chǎn)物，包括1）CdSe-Ge并軸異質(zhì)結(jié)納米線與CdSe-Ge-CdSe三明治結(jié)構(gòu)納米線;2)以CdSe-Ge并軸異質(zhì)結(jié)納米線為核，多晶Ge為殼的電纜狀分等級(jí)異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線;3）Ge-GeSe并軸異質(zhì)結(jié)納米線;4）GeSe納米帶。運(yùn)用XRD、SEM、HRTEM、EDS和SAED分別對(duì)4個(gè)樣品進(jìn)行了物相和微結(jié)構(gòu)分析，發(fā)現(xiàn)CdSe-Ge并軸異質(zhì)結(jié)納米線與CdSe-Ge-CdSe三明治結(jié)構(gòu)納米線中的Ge和CdSe亞納米線為單

3、晶，GeSe-Ge并軸納米線中的GeSe和Ge亞納米線和GeSe納米帶為單晶。CdSe-Ge并軸納米線和GeSe-Ge并軸納米線中異質(zhì)結(jié)的界面質(zhì)量良好。CdSe-Ge-CdSe三明治結(jié)構(gòu)納米線中兩側(cè)的CdSe亞納米線均存在高密度的層錯(cuò)，TEM圖中顯示的兩側(cè)CdSe亞納米線的不同僅是由于觀測角度造成的。
　　 2、提出了CdSe-Ge并軸（CdSe-Ge-CdSe三明治結(jié)構(gòu)）異質(zhì)結(jié)納米線和GeSe-Ge并軸納米線可能的生長機(jī)理為基

4、于氣-液-固(VLS)的共生機(jī)理。以CdSe-Ge并軸異質(zhì)結(jié)納米線為核，多晶Ge為殼的電纜狀分等級(jí)異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線是過量的Ge在CdSe-Ge并軸納米線上二次生長的結(jié)果。GeSe為CdSe和Ge在氣相中反應(yīng)產(chǎn)生。氣相中的GeSe、CdSe和Ge三種化合物根據(jù)它們不同的氣化點(diǎn)沉積在了不同的區(qū)域，因此，在相應(yīng)的區(qū)域分別得到了不同產(chǎn)物。
　　 3、用室溫拉曼譜研究了四種產(chǎn)物的振動(dòng)特性。和相應(yīng)體相材料相比，CdSe亞納米線的LO模，Ge亞

5、納米線的LO(TO)模和GeSe亞納米線（納米帶）的LO和TO模藍(lán)移或紅移。在CdSe-Ge并軸（三明治結(jié)構(gòu)）納米線中CdSe的LO模藍(lán)移20cm-1，可能是由于CdSe-Ge-CdSe三明治結(jié)構(gòu)納米線中CdSe亞納米線的高密度的層錯(cuò)或者應(yīng)力所造成的。在CdSe-Ge并軸（三明治結(jié)構(gòu)）納米線、以CdSe-Ge并軸異質(zhì)結(jié)納米線為核，多晶Ge為殼的電纜狀分等級(jí)異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線和GeSe-Ge并軸納米線中Ge的LO模式與體塊材料相比，分別紅移了