基于碳納米管的金屬納米線生長機理的分子模擬研究.pdf

1、納米技術(shù)是21世紀(jì)的優(yōu)先發(fā)展領(lǐng)域，納米材料與納米器件的發(fā)展將會對信息、醫(yī)學(xué)、能源、環(huán)境等領(lǐng)域帶來革命性的變化。碳納米管以其獨特的優(yōu)點、廣泛的應(yīng)用價值和良好的發(fā)展前景在各個領(lǐng)域中中引起科學(xué)家的普遍關(guān)注。納米線具有優(yōu)越的物理性能，是構(gòu)造納米尺度元器件如激光器、傳感器、場效應(yīng)晶體管、發(fā)光二極管、邏輯電路、自旋電子器件以及量子計算機等的結(jié)構(gòu)單元。利用在碳納米管中填充金屬原子生成納米線的方法，可以使納米線穩(wěn)定、均勻的生長，從而提高金屬納米線的質(zhì)量

2、和性能。
　　本文選用經(jīng)典分子動力學(xué)方法模擬在不同直徑的碳納米管中填充金屬Na原子的過程。利用最速下降法對填充進碳納米管中的Na原子進行能量優(yōu)化；對碳納米管沿軸線方向使用周期性邊界條件；Na原子的速度按Velocity Verlet Algorithm方法來確定；選用Lennard-Jones12-6勢做為分子間作用力的勢函數(shù)；系綜取等溫等壓系綜；壓力為一個大氣壓。
　　通過分別在armchair型碳納米管（4，4）和（6，