HDP薄膜均勻性改善方案.pdf_第1頁
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1、Y771127後旦大學學梭代碼；10246一學號：T02201034碩士學位論文(專業(yè)學位)HDP薄膜均勻性改善方案院系(所)：專業(yè)：姓名：信息科學與工程學院電子與通信工程隋曉明指導教師：堂里煎堡堂壁塞塾援完成日期：2005年3月31日復旦大學工程碩士論文摘要AbstractT11cshrinkingdimensionsofsemiconductordrivesforceashiftintechnologyasgapwidthsforl

2、eadingedgechips，andthischallengetothecapabilityoftheIMDlayerInaddition，theclosenessofneighboringmetallinesdemandsthatthegapbefilled、^，imhighqualitydensedielectricTheHDP(HighDensityPlasma)technologyisdevelopedtomatchthere

3、quirementofthehi曲technologydeviceHDPhavebettergapfillcapabilitythanthetypicalPECVDtechnologytomeetsmallerfeatureswi也higheraspectratiequirementHDPhaveexcellentplanarizationafterintegratedwithCMPtomeetthemultiplemetallevel

4、sBotha^甑HDPsystemsandNovellusHDPsystemssharemorethan90％marketingIncreasethedensityofsidegasnozzlesforAMATHDPsystemcanimprovetheHDPwithinwaferthicknessuniformityChangethetopnozzlefromoneholeto4holenozzlealsoeffectthewithi

5、nwaferthicknessimprovementThedatashowthatwecanget3％levelHDPfilmwith45degree4holetopnozzleandthefilmuniformitywillbeimprovedto2％ifweuse30degree4holetopnozzleconfigurationForNovellusHDPsystem，Changethelengthofthegasnozzlec

6、animprovethewithinwaferthicknessuniformityduetotherearenotopnozzleinNovellusprocesschamberdesignThegasflowof02，theLFPoweralsorelatewiththeHDPuniformityWiththeoptimizedconditionwecanget35％HDPfilmusing4inchgasnozzleWecarlg

7、et32％filmifreplacethe4inchnozzlewith25inchgasnozzleWithoptimizedconditionfor25inchgasnozzleeven30％filmcanbeprocessedFinallywedrawtheconclusionofoptimizethewithinwaferuniformityforbothHDPsystems：ForAMATHDPsystem，increaset

8、hesidenozzlesfrom18to24，changetheoneholetopnozzleto4hole(30degreetype)topnozzlecanimprovethewithinwaferuniformityfrom55％to22％ForNovellussystemchangethelengthofgasnozzlefrom4inchto25inchandoptimizethegasflowof02f200seemto

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