GaN基光導器件的光電導研究及紫外薄膜材料均勻性測試系統(tǒng).pdf

1、本文著重圍繞氮化鎵基材料性能進行了部分研究，制備了非故意摻雜的n型GaN光導探測器件，并對該器件進行了一系列測試、分析。實驗發(fā)現(xiàn)GaN的持續(xù)光電導與照射光強有著一定的關(guān)系，變化光強會引起光電導曲線的顯著變化，并且隨著光強的增大，光電流隨之增強。當有長波參與光照時，照射光由弱逐漸變強，所測的器件會由正常的光電導(PC)和持續(xù)光電導(PPC)響應逐漸過渡到負光電導(NPC)和負持續(xù)光電導(NPPC)，并且光強越強，該現(xiàn)象就越明顯。分析認為，

2、該現(xiàn)象是由于GaN作為一種直接寬帶隙材料，其禁帶中的電子陷阱與空穴陷阱對光生載流子俘獲和復合競爭的結(jié)果。 另外，利用對材料透射率面分布來評價材料均勻性的原理，自主研制了一套紫外薄膜材料均勻性測試系統(tǒng)。該系統(tǒng)由氙燈、單色儀、外光路、二維步進掃描裝置、光電探測器、數(shù)據(jù)采集和記錄設備等部分組成，采用LabVIEW軟件編程，可以實現(xiàn)對材料的無損傷測試，并對材料的非均勻性給出定量的評價。利用均勻性測試系統(tǒng)對不同結(jié)構(gòu)和不同生長條件的GaN基