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文檔簡介
1、用半導體光電導開關(guān)(Photoconductive Semiconductor Switches,簡稱PCSS’s)產(chǎn)生的超短電磁脈沖可應(yīng)用于雷達、通信、THZ成像等技術(shù)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)開關(guān)相比,PCSS’s具有開關(guān)速度快、觸發(fā)無晃動、寄生電感電容小、高重復頻率、結(jié)構(gòu)簡單緊湊等特點。在觸發(fā)光脈沖一定的情況下,半導體光電導開關(guān)中的載流子在開關(guān)里面的輸運情況從根本上決定了所輸出的電脈沖的波形,而影響載流子的輸運的因素除了材料本身的能帶結(jié)構(gòu),還有
2、半導體光電導開關(guān)中的電場(包括偏置電場、光電導開關(guān)內(nèi)的光生載流子的空間瞬態(tài)分布所形成的空間電荷電場)、散射機制等。目前對于半導體光電導開關(guān)的理論研究還有有待完善的地方,因此對其理論分析和模擬論證是有現(xiàn)實意義的。本論文的主要工作是采用Monte Carlo方法,并結(jié)合GaAs材料光電導開關(guān)的物理模型和機制,對PCSS’s某些器件特性進行了計算機模擬,并得到了不同的IDP(谷間形變勢)下X帶電子散射比例與電場強度的關(guān)系曲線、電子占有率與電場
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