半絕緣GaAs光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)中空間電荷波效應(yīng)研究.pdf

1、與傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)比較，光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)（photoconductive semiconductor switch，簡(jiǎn)稱：PCSS）具有開(kāi)關(guān)速度快、寄生電感電容小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，尤其是開(kāi)關(guān)耐高壓、功率存儲(chǔ)容量大等特性，使其在脈沖功率技術(shù)等領(lǐng)域的應(yīng)用具有極大的優(yōu)勢(shì)。由Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體化合物（如：GaAs、I n P等）研制的半導(dǎo)體光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)，由于高倍增模式下出現(xiàn)的各種現(xiàn)象，使其應(yīng)用領(lǐng)域更為開(kāi)闊。然而目前為止，還沒(méi)有一個(gè)完整的理論對(duì)開(kāi)關(guān)的典型現(xiàn)象做出全面的解釋

2、。本論文通過(guò)對(duì)空間電荷波（Space Charge Wave，簡(jiǎn)稱：SCW）效應(yīng)的深入研究，并且結(jié)合光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)的典型實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象，對(duì)光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)中存在的電導(dǎo)變化規(guī)律進(jìn)行了理論研究。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴用波長(zhǎng)532nm和1064nm的激光器作為觸發(fā)光源，來(lái)觸發(fā)橫向半絕緣砷化鎵光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)，對(duì)線性模式和非線性模式下，半絕緣GaAs光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)電流振蕩現(xiàn)象進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。在線性模式下，當(dāng)電壓較低（但必須大于某一閾值），觸發(fā)光能較大時(shí)，電脈

3、沖無(wú)振蕩現(xiàn)象，然而，當(dāng)觸發(fā)光能較小時(shí)，電脈沖在一個(gè)幅值較大的電脈沖過(guò)后，其后還跟隨著幾個(gè)幅值較小的減幅振蕩；在非線性模式下，電脈沖均出現(xiàn)不同程度的減幅振蕩。⑵通過(guò)對(duì)空間電荷波效應(yīng)的理論研究，再同開(kāi)關(guān)的典型實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象結(jié)合，對(duì)光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)中電導(dǎo)率隨渡越角變化規(guī)律進(jìn)行了理論研究，獲得了器件電導(dǎo)率隨樣品渡越角之間的解析關(guān)系式，以及在不同增益下表達(dá)式的擬合函數(shù)圖線。分析了不同增益對(duì)電導(dǎo)率初始峰值的影響，增益越大，其初始峰值越大。最后分析了渡越角減小的